RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3117
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link