RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2945
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link