RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2659
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link