RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2910
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link