RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3564
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link