RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
71
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1979
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link