RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3711
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link