RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4006
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link