RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4006
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link