RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3726
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link