RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3683
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link