RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3431
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link