RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3431
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link