RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3748
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link