RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3668
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link