RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3495
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link