RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3660
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link