RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4250
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link