RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3041
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link