RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3037
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link