RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2690
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link