RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2690
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link