RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3451
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link