RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3158
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link