RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2062
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link