RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2326
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link