RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs INTENSO 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
INTENSO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2061
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link