RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs INTENSO 5641162 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641162 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2799
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641162 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link