RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs INTENSO 5641162 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641162 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2799
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641162 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link