RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3361
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link