RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2516
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link