RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link