RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3137
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link