RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2979
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link