RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2989
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link