RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2245
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link