RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
52
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
52
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2260
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link