RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2892
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link