RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2616
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link