RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2620
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link