RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3239
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link