RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
22.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
22.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4574
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link