RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2621
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link