RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
52
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
52
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2893
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link