RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2739
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link