RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2739
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link