RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
77
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
77
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1549
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link