RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3110
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link