RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
71
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1922
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link