RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
81
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
81
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1460
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link