RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1878
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lenovo 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link