RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1711
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link