RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3963
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link