RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4046
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link