RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2199
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link