RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2199
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link